学术报告

报告题目：Phase Controlled Growth and Ambipolar Transistors of MoTe₂

报告人：王广

报告时间：2018年9月19日下午2点半

报告地点：量子楼410报告厅

报告摘要：过渡金属硫族化合物（TMDCs）是具有能隙的新型二维半导体材料，能制成低功耗的场效应晶体管和高开关比的数字逻辑电子器件。近年来碲化钼（MoTe₂）引起了人们的广泛关注。除潜在的器件应用价值外，碲化钼还表现出新奇的量子特性，例如其T_d相材料被理论预言并实验证实为第二类外尔半金属（Type-II Weyl Semimetal），单层1T'相中可能存在量子自旋霍尔（Quantum Spin Hall）效应等。我们通过超高真空分子束外延方法，精确控制生长温度、束流比和退火条件实现相的控制和转变，可控制备出高质量2H相和1T'相碲化钼的面内异相同质结，为相变可调电子器件研究奠定了基础。在国际上首次可控生长出半金属性Mo₆Te₆纳米线，利用纳米线和薄膜异质结界面的电荷传输，可以有效调控二维材料的电子能带性质，对于构建未来新型一维/二维异质结器件和高速信息器件的互联集成具有重要的意义。此外，我们利用机械剥离法制备的少层碲化钼薄膜，在可控逐层氧化、相变和双极性晶体管等方面也做了一些探索。

报告人简介：王广，国防科技大学物理系副研究员。2005年本科毕业于南京大学物理系获学士学位，2010年毕业于清华大学物理系获博士学位。主要从事低维量子材料及其范德瓦尔斯异质结的分子束外延生长、扫描隧道显微镜、光电子能谱、物性调控以及纳米器件的光电输运测量等研究。2017年获国防科技大学“青年创新奖”。作为项目负责人主持国家自然科学基金面上项目等4项，作为副组长参与国防科技创新特区项目、国防科技大学校预研重大项目、重点项目等5项，参与863计划军口课题等10余项。在Advanced Materials、Nano Letters等国际著名学术期刊发表SCI论文36篇，被引用1100余次，H-index为13。出版专著2部，申请发明专利6项。担任基金委通信评议专家，以及ACS Nano, Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., J. Optics, Spectrsc. Lett.等期刊审稿人。